Transistores IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.
Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
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IGBT 60 AMP. 600V TO-220 STD. – IRG4BC40S
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IGBT 600V 50A – IRGPC40S
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IGBT 49 AMP. 600V RAPIDO TO-220 – IRG4BC40F
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IGBT SENCILLO 100 AMPS. 1,200V – CM100DU-24H
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IGBT NTE3323 25A 1200V – NTE3323
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MODULO IGBT SEXTUPLE 15A 600V – TCM15TF-12H
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MODULO IGBT SEXTUPLE 100A 600V – TCM100TF-12H
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IGBT ULTRARAPIDO 600V 23A – SGS23N60UFD
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IGBT 100 AMP. 1200V SOT227B (MINIBLOCK) – IXGN100N120
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TRANSISTOR IGBT 600v 16a – TIRG4BC20FDPBF
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MODULO IGBT INFINEON – F300R12ME4
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IGBT 13A 600V ULTRARAPIDO TO-220 C/DIODO – TIRG4BC20UDPBF
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MODULO IGBT SENCILLO 1000A 2400V – TCM1000H-24H
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IGBT CANAL N 1200V 25A – GT25Q101
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MODULO IGBT TOYODA – TSM003
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MODULO SEMIKRON – SKM400GB125D
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MUBW30-12E6K – MUBW30-12E6K
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IC DRIVER GATE SINGLE IGBT MONTAJE SMD – MC33153DG
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IC DRIVER GATE SINGLE IGBT DIP – K33153P
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C.I. IR2113 DRIVER P/MOSFETS E IGBT’S – K2113
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TRANSISTOR IGBT TO-247-3 – K50H603
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TRANSISTOR IGBT CH N 1000V 60 amp – TGT60N321
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TRANSISTOR IGBT 75A 600V CH-N – THGTG30N60A4
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TRANSISTOR IGBT 600V 30A LIBRE DE PLOMO – STGW30NC60WD
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TRANSISTOR IGBT – TIRG4BC20F
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TRANSISTOR CANAL N 24A 1200V IGBT – TIRG4PH50K
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PIM 35 AMPS. 1,200V 7 IGBT`S Y 1 PUENTE TRIF. C/TERMISTOR AP – T7MBR35SB120
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PIM 25 AMPS. 600V 7 IGBT`S Y PUENTE TRIF. C/TERMISTOR APA – 7MBP100RTB06
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PIM 25 AMPS. 1,200V 7 IGBT`S Y PUENTE TRIF. C/TERMISTOR APA – T7MBR25SA120
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MODULO IGBT’S 50A 1200V – 7MBI50N-120
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